【转载】SiC行业最新进展与动态

01

项目进展

200mm碳化硅新里程碑

英飞凌科技在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。

此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。

英飞凌科技首席运营官Rutger Wijburg博士表示：“我们正在按计划实施SiC产品的生产，并且十分高兴将开始为客户提供首批产品。通过菲拉赫和居林生产基地的SiC产品分阶段进入量产，我们正在提升成本效益并持续保证产品质量，同时确保我们的产能满足客户对SiC功率半导体的需求。”

8英寸SiC项目今年投产

SK 集团已经与三星电子、Above Semiconductor 共同参与了国家项目“SiC•GaN 功率半导体”的联合开发，并计划在今年开始量产8英寸 SiC 衬底。据SK 集团董事长崔泰源透露，他们正在加速对 SiC 衬底的投资，并将其作为继高带宽存储器 (HBM) 之后的下一代增长引擎，并计划在韩国和美国之间建立双重生产体系，于今年开始量产8英寸 SiC 衬底以抢占市场。

SK Siltron的韩国工厂主要分布在龟尾市和利川市，主要生产硅衬底，SiC衬底产能以美国工厂为主。据此来看，SK Siltron或将增加韩国本土的SiC衬底产能，并生产8英寸SiC衬底。

SK 集团的美国子公司SK Siltron CSS主要生产碳化硅衬底和外延片，其在美国密歇根州奥本市、贝城分别拥有两座工厂，并获得美国能源部4.815亿美元（约34.8亿人民币）的贷款。

SiC工厂奠基

印度理工学院布巴内斯瓦尔分校与私营公司 SiCSem 联合开设了一个碳化硅研究及创新中心—SiCRIC，将致力研究6、8英寸碳化硅晶锭及衬底的大批量生产技术。

该中心的投入成本为4.45亿卢比（约合人民币0.37亿），将为SiCSem位于印度奥里萨邦的 SiC 设备制造和 ATMP（半导体制造后道工序）工厂提供技术支持，该工厂总投资为300亿卢比（约合人民币25亿），已成功奠基。

印度理工学院布巴内斯瓦尔分校校长 Shreepad Karmalkar 表示，印度中央政府已批准了多个重要的半导体项目，而奥里萨邦也吸引了 SicSem 、RIR Power Electronics 等复合半导体工厂。学院及研究中心将致力于为半导体（尤其是复合半导体）行业提供从粉未到晶体到晶圆再到封装的全流程技术研究、创新和技能培训。

SiC项目即将封顶，年产72万片

士兰微子公司士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目完成了钢桁架梁吊装，预计今年一季度封顶。

据报道，2024年5月，士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府等多方签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》及《投资合作协议》，宣布合资在厦门市海沧区建立一条以SiC MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。

该项目分两期建设，总投资规模约120亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。

该项目一期项目总投资70亿元，预计2025年三季度末初步通线，2025年四季度试生产，达产后年产42万片。项目建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片。

将建第三代半导体项目

杭州市西湖区举行2025年一季度重大项目集中推进暨重点招商项目集中签约活动，共有53个重点项目签约落地，总投资84.2亿元，其中包含1个第三代半导体项目。高裕电子将建设第三代半导体可靠性测试设备生产基地，预计未来三年营收超7.5亿元。

杭州高裕电子科技股份有限公司成立于2009年，业务涵盖电子元器件可靠性试验设备、定制自动化老化测试产线及第三方可靠性测试等，已于2023年11月挂牌上市。

据高裕电子2024年半年度报告透露，他们开发出了能够满足SiC、GaN等第三代半导体检测需求的半导体老化测试系统，并积极开拓包括新能源汽车在内的相关行业客户，以保障公司业务的成长空间。2024 年 4 月，高裕电子旗下产品 SiC MOSFET 功率循环老化测试系统已被浙江省科技厅认定为“浙江省科学技术成果”。

IGBT及SiC功率模块技改项目竣工

《杭州余杭浙江晶能微电子有限公司一期工厂年产60万套IGBT HPD及5万套SiC功率模块技改项目竣工环境保护验收调查表》及相关资料公示。

根据公告，该项目位于杭州市钱江经济开发区，计划总投资超3亿，建设年产60万套IGBT功率模块及5万套SiC功率模块的一期工厂，主要包括3000平方米的万级洁净室及实验室，1000平方米的动力站，1000 平方米的仓库及办公区。目前该项目已竣工验收。

晶能微电子成立于2022年6月，由吉利迈捷投资有限公司、杭州粒辰企业管理合伙企业（有限合伙）共同持股。2024年2月，晶能微电子还与星驱技术团队共同出资设立了SiC半桥模块制造项目，重点布局车规SiC半桥模块，该项目总投资约人民币10亿元，投资建设年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套，投产后预计实现年产值约12.5亿元。

今年SiC等订单产值将达3亿元

北一半导体总投资20亿的3期功率半导体晶圆产线项目正在加快推进当中，即将量产。总部位于深圳的穆棱市北一半导体科技有限公司，2017年入驻穆棱经济开发区，是一家集功率半导体器件研发、生产、封装、测试、营销和服务为一体的民营高新技术企业。

据了解，该项目一期占地2.7万平方米、建筑面积3万平方米，新上国际先进6英寸晶圆生产线，年产6英寸晶圆100万片、8英寸背面晶圆6万片。晶圆厂预计于24年年底完成主体工程建设。据透露，北一半导体还将完成6英寸/8英寸IGBT实现流片750V/1200V平台。

该公司透露，去年底公司已经承接了10份来自东南亚和国内的2025年高端IGBT和SiC模块生产订单，产值在3亿元左右。还有不少国内外客商正与企业沟通洽谈，初步达成了2.5亿元的意向协议，5条生产线开足马力开始了新一轮的订单生产。

02

业绩披露

业绩下滑，推迟SiC衬底采购

瑞萨电子公布截至2024年12月31日的年度财务业绩。据悉，该时间段内瑞萨电子的营收为13485亿日元（约合人民币647亿），同比下滑8.2%，归属于母公司股东的净利润为3604亿日元（约合人民币173亿），同比下滑约16.75%。

瑞萨电子总裁兼首席执行官柴田英俊等人在财报会议上透露，对于功率半导体而言，如今是个非常严峻的关键时刻。他们认为，人工智能及数据中心相关领域的客户不会为了价格而牺牲质量，因此在功率半导体领域，他们从未打算成为大玩家，而是专注于潜在市场的目标客户。

此外，瑞萨电子曾考虑使用硅 IGBT，但在过去两年里，市场发生了巨大变化。随着中国企业的崛起，他们的想法也发生了变化，不再过多关注硅 IGBT。

2024年10月，瑞萨电子表示，他们原计划从2025年开始在高崎工厂（群马县高崎市）进行生产和商业化碳化硅器件，并与Wolfspeed签署了为期10年的SiC半导体衬底采购合同，但由于市场低迷，早期采购将被推迟。

业绩向好，扩大SiC衬底产能

Coherent披露其2025财年第二季度业绩（截至2024年12月31日）。财报显示，Coherent在报告期内收入为14.35亿美元（约104.85亿人民币），同比增长26.8%，环比增长6.4%。

该公司首席执行官Jim Anderson表示，这一增长主要得益于AI相关数据中心需求的强劲表现以及电信业务的增长。值得关注的是，Coherent还在2024年获得了美国政府的CHIPS法案资金支持，用于扩大磷化铟（InP）产能及碳化硅产能。

据了解，美国商务部拟议向Coherent提供7900万美元（约5.79亿人民币）的直接拨款资助，以支持其在宾夕法尼亚州伊斯顿的现有制造工厂的扩建，提高6英寸和8英寸SiC衬底的产能；此外，该资金还将支持Coherent扩大该工厂的SiC外延片制造能力、生产线后端处理、电子性能和可靠性测试能力。扩建完成后，Coherent的SiC衬底产能将每年增加超过75万片，并使外延片的年产量增加一倍以上。

业绩下降，SiC订单量环比大增

X-FAB公布其2024年第四季度及全年财报。财报显示，2024年第四季度X-FAB收入为1.89亿美元（13.8亿人民币），同比下降 21%，环比下降 9%；2024全年收入8.164亿美元，同比下降10%。

X-FAB第四季度的SiC收入为580万美元，同比下降75%，环比下降22%；2024年全年，SiC收入为5010万美元（约3.66亿人民币）。X-FAB指出，这一下降主要是由于工业终端市场需求的减少。

尽管X-FAB第四季度SiC收入下降，但其订单情况有所改善。报告显示，X-FAB第四季度SiC订单量较上一季度增长了72%，显示出市场对SiC技术的兴趣正在回升。

X-FAB集团首席执行官Rudi De Winter表示，SiC市场整体面临一定的挑战，尤其是在工业和汽车领域，由于库存调整和市场需求的波动，SiC收入受到较大影响。然而，公司认为已经度过了当前下行周期的低谷，预计2025年SiC业务将逐步恢复。

03

量产交付

年产20万片8英寸碳化硅项目启动

河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式在保定国家高新技术产业开发区举行。

据同光股份董事长郑清超介绍，“项目预计总投资8.82亿元，2027年全部投产，对于我市提升第三代半导体的核心技术自主化、产业链高端化、产业集群规模化水平意义重大。”

同光股份立足保定国家高新区，自2012年成立开始，历经8年研发之路，于2020年正式实现大规模量产。回溯其碳化硅建设之路，2021年9月，年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，在涞源县经济开发区投产，成为保定第三代半导体产业从研发到规模量产的一次成功跨越，其目前还在保定国家高新区厂区布局碳化硅晶体生长炉500余台，并建成具有国际先进水平的碳化硅单晶衬底生产线。

二期项目全面投产新增20万片产能

烁科晶体的二期碳化硅产线已经全面投产，将为烁科晶体带来每年20万片碳化硅衬底的新增产能， 并进一步巩固其在碳化硅材料领域的领先地位。

2024年9月12日，国内某项目建设环评公示平台公开了关于“中国电科（山西）碳化硅材料产业基地（二期）竣工环境保护验收”报告。报告披露，烁科项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区)，厂房分两期建设。其中一期工程已于2024年5月完成验收；二期工厂在一期工程基础上扩建，在2023年8月进行备案，同年10月提交建设申请，目前也宣告完成验收。

二期项目总投资5.2亿元，在中国电科（山西）碳化硅材料产业基地原有地块内新建碳化硅单晶生长车间、购置相关生产设备，并在预留区新增晶体生长设备。本项目购入半成品料后，按订单生产，二期扩建产能中部分直接外售，不进行进一步加工，当订单要求进一步加工时，将进入（一期）现有车间进行加工。

碳化硅基地预计4-5月量产通线

位于武汉新城的长飞先进武汉基地项目部正在紧锣密鼓地推进湿法工程设备调试和厂房建设工作。

据项目负责人介绍，武汉基地预计将于4月底至5月初实现量产通线，随后将启动良率提升和产能爬坡工作。这一里程碑标志着长飞先进在第三代半导体领域的布局迈出关键一步，也将为武汉新城的产业发展注入强劲动力。

长飞先进武汉基地项目总投资预计超过200亿元。项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。

SiC模块产线投产运行

武汉净澜检测有限公司在官网公布了《智新半导体二期产线建设项目阶段性竣工环境保护验收监测报告表》，其中透露了智新半导体的SiC模块封装产线建设进展。

智新半导体 IGBT 模块项目为东风全系统新能源汽车的战略合作伙伴。因此，为进一步东风汽车的新能源汽车战略，智新半导体经过充分调研和论证，拟在公司一期项目30万只产能的基础上，进行二期产线建设项目。

该项目属于技改项目，位于武汉市经开区，总投资约为1.63亿，计划在原有智新半导体有限公司租赁车间内新增1条自动化IGBT模块封装线，同时新增银烧结相关工艺设备，具备SiC模块研发及生产能力。

本次验收范围只包含智新半导体二期产线建设项目已建设完成运行部分，目前芯片划片工艺暂未建设。该项目于2023年5月8日开工建设，2024年1月4日竣工，2024年4月调试运行，将新增产能IGBT模块38万只/年、IGBT模块（SiC模块）2万只/年，结合原有IGBT模块30万只/年的产能，合计产能达70万只/年。

碳化硅产品已实现供货

三安光电在投资者互动平台透露重要消息，湖南三安的碳化硅产品已成功向维谛技术供货，供货金额达到千万级别。此前三安光电与维谛技术签订战略合作协议，维谛技术专注于数据中心液冷系统。此次成功供货，不仅是双方合作的重要成果，也标志着三安光电在碳化硅产品市场拓展上迈出坚实一步。

据了解，在碳化硅功率器件方面，三安光电成绩斐然。针对工业级市场，湖南三安的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiCMOSFET已实现量产；面向车规级市场，车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiC MOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。随着供货维谛技术，其在数据中心、工业电源等领域的市场份额有望进一步扩大。

SiC MOSFET芯片产品量产

中瓷电子全资子公司国联万众SiC MOSFET芯片产品已实现量产，模块产品目前处于小批量供货阶段。此前，国联万众公司电驱用1200V SiC MOSFET芯片已研发成功并交付客户上车验证，还有小批量销售。

在电动汽车主驱用大功率MOSFET产品方面，中瓷电子产品主要面向比亚迪，其他客户也在密切接触、合作协商、送样验证等阶段。据悉，中瓷电子目前相关产能正在建设中，已具备一定生产能力，预计今年底月产能达到5000片，2024年预计月产能在5000-10000片。

该公司募投项目已进行初期投资，产能逐步建设，近两年预期相关产品产能可被下游客户消化。随着芯片量产和模块小批量供货，中瓷电子在电动汽车、工业控制等领域有望获得更多市场机会，进一步提升其在碳化硅功率器件市场的竞争力。

04

技术、应用、产品

德初创公司推出新SiC掺杂技术

德国半导体设备初创公司Mi2-factory GmbH已完成1500万欧元的A轮融资，并获得了欧盟IPCEI ME/CT项目（欧洲共同利益重要项目，支持微电子和通信技术的研究、创新和首次工业部署）高达2300万欧元的资助。

这家总部位于耶拿的初创公司开发了一种称为能量过滤离子注入（EFII）的专利工艺技术，该技术与名为EFITRON的生产机器结合使用，针对大批量晶圆生产中的SiC掺杂问题，提供了一种高精度、灵活、具有成本竞争力的基于微芯片的解决方案，针对电动汽车、可再生能源、AI 数据中心、牵引和工业驱动的SiC功率电子市场。

芯片生产商购买EFII是为了节省成本、提高性能并实现SiC功率器件制造的设计创新。对于特定的SiC功率器件，Mi2-factory表示，每个晶圆的成本最多可降低50%。这笔投资和资金将使专有的EFIITRON技术从实验室试点扩大到工业成熟应用，并展示其首次工业用途。

4款SiC车型问世

岚图汽车梦想家纯电版搭载碳化硅电驱系统，双电机峰值效率97.2%，108.7kWh电池组采用CTP 3.0技术，30%-80%快充时间压至25分钟，实测CLTC续航达成率91%（严寒工况-10℃）。

红旗品牌5系产品线重磅产品P301项目首台验证样车在研发总院试制部成功试制下线，成为红旗品牌历史上首台OTS下线速度最快的车型。

北京汽车旗下全新BJ40魔核电驱版宣布开启预售，分为标准版和魔核电驱进阶版两款车型，预售价分别为22.48万元和24.48万元。

极氪旗下全新旗舰SUV将搭载超级电混技术和浩瀚智驾系统，并将配备将配备超级电混技术及全栈900伏高压架构，提供纯电和混动两种动力选择，进一步满足不同用户的需求。

全球首台SiC磁共振问世

由联影医疗自主研发，首创碳化硅梯度放大器，最大化释放GPA性能，并搭载全新磁共振可持续性发展解决方案，可为客户节省高达57%的能耗，助力绿色医疗建设。联影医疗全球首台碳化硅磁共振碳化硅材料加持，达成极致能源利用驱动能耗大幅下降的要素中，碳化硅发挥了至关重要的作用。

联影医疗首创SiC GPA，为磁共振设备赋予了新能源动力系统。SiC 材料具有高电子饱和速度的特性，电子在其中传输时，如同在高速公路上行驶般畅行无阻，这一特性大幅降低了器件损耗，降幅超过 60% 。在实现相同临床效果的前提下，全序列功率降低幅度超过 50%。

联影医疗通过SiC GPA和智能水冷系统结合的全新设计，水冷功率降低了40%，设备年能耗从300吨标准煤骤降至129吨，节能效果非常显著。

全新工业MOSFET 650V实现更高功率密度

英飞凌科技股份公司正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。这两个产品系列采用顶部和底部冷却并基于CoolSiC™ Generation 2（G2） 技术，其性能、可靠性和易用性均有显著提高。它们专门用于中高功率开关模式电源（SMPS）开发，包括AI服务器、可再生能源、充电桩、电动交通工具和人形机器人、电视机、驱动器以及固态断路器。

TOLL封装具有出色的板载热循环（TCoB）能力，可通过减少印刷电路板（PCB）占板面积实现紧凑的系统设计。在用于SMPS时，它还能减少系统级制造成本。TOLL封装现在适用于更多目标应用，使PCB设计者能够进一步降低成本并更好地满足市场需求。

Q-DPAK封装的推出补充了英飞凌正在开发的新型顶部冷却（TSC）产品，包括CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™和OptiMOS™。TSC产品使客户能够以低成本实现出色的稳健性以及更大的功率密度和系统效率，还能将直接散热率提高至95%，通过实现PCB的双面使用更好地管理空间和减少寄生效应。