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【转载】硅晶圆的边缘形状
在半导体整个制造流程中,为了尽可能提升最终器件的制造良率,降低生产成本,提高器件性能,数不清的技术人员花费了大量的精力对每个制造步骤的各种细节进行打磨。
【转载】什么是半导体行业中常说的——High-K材料
Hello,大家好,在半导体行业中,经常听到High-K的材料,那这个High-K到底是啥呢?先来说说啥是 High-K。这里的 K,指的是介电常数,它衡量的是材料储存电荷的能力。至于介电常数是啥,大伙可以看看我前面的介绍:如何理解半导体材料的介电常数 。按介电常数高低,材料分为低介电(Low-K)和高介电(High-K)材料。一般 Low-K 材料的介电常数低于 3.0,而 High-...
【转载】}烘干过程对硅片表面颗粒的影响
在清洗工艺中,有一个重要的影响因素是烘干机,烘干机的影响条件主要是甩干时 的转速以及烘干的时间,为了探究这两个影响因素,需要实际的实验来加以验证和说明。将清洗出来的的硅片放入烘干机,并对数据进行统计 分析。实验数据出来过后要进行以下分析: 甩干时的转速与表面颗粒的关系从上面图表可以看出,转速在 2000 转/分以下时,由于甩水效果差,出现的颗粒问题是表较严重的,颗粒数量多就会对芯片的的质量产...
【转载】干法刻蚀设备主要供应商及市场情况介绍
干法刻蚀设备简介 干法刻蚀是半导体制造中的核心工艺之一,其作用是通过物理或化学手段,在晶圆表面精确去除特定材料,形成纳米级的电路结构。与湿法刻蚀相比,干法刻蚀(以等离子体技术为主)具备更高的精度和可控性,尤其适用于先进制程(如7nm以下)的复杂结构加工。目前,干法刻蚀设备在全球半导体设备市场中占比超过20%,是晶圆厂投资的核心设备类型。 从技术分类看,干法刻蚀设备...
【转载】SiC行业最新进展与动态
01项目进展200mm碳化硅新里程碑英飞凌科技在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造,将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术,包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外,英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm...
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【转载】硅晶圆的边缘形状
【转载】什么是半导体行业中常说的——High-K材料
【转载】}烘干过程对硅片表面颗粒的影响
【转载】干法刻蚀设备主要供应商及市场情况介绍
【转载】SiC行业最新进展与动态
【转载】碳化硅(SiC)离子注入
【转载】化学机械平坦化(CMP)工艺
【转载】晶圆制造相关术语及工艺介绍
【转载】替代铜互联
【转载】FOPLP,下一代封装的基石
【转载】钻石芯片,商用在即
【转载】8英寸碳化硅,星火燎原
【转载】钻石芯片,加速
【转载】3.5D封装,来了!
【转载】中国晶圆代工双雄,优于预期
【转载】碳化硅“狂飙”:追赶、内卷、替代
【转载】三大产品线全力升级,东方晶源引领国内电子束量测检测发展
【转载】电子元器件销售行情分析与预判 | 2024年5月
【转载】芯片新战场,EDA如何拥抱新挑战?
【转载】芯谋研究展望2024年中国半导体市场与产业