在清洗工艺中，有一个重要的影响因素是烘干机，烘干机的影响条件主要是甩干时 的转速以及烘干的时间，为了探究这两个影响因素，需要实际的实验来加以验证和说明。将清洗出来的的硅片放入烘干机，并对数据进行统计 分析。实验数据出来过后要进行以下分析： 甩干时的转速与表面颗粒的关系从上面图表可以看出，转速在 2000 转/分以下时，由于甩水效果差，出现的颗粒问题是表较严重的，颗粒数量多就会对芯片的的质量产...

干法刻蚀设备简介 干法刻蚀是半导体制造中的核心工艺之一，其作用是通过物理或化学手段，在晶圆表面精确去除特定材料，形成纳米级的电路结构。与湿法刻蚀相比，干法刻蚀（以等离子体技术为主）具备更高的精度和可控性，尤其适用于先进制程（如7nm以下）的复杂结构加工。目前，干法刻蚀设备在全球半导体设备市场中占比超过20%，是晶圆厂投资的核心设备类型。 从技术分类看，干法刻蚀设备...

01项目进展200mm碳化硅新里程碑英飞凌科技在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm...

离子注入在 SiC 器件制造工艺中占据着举足轻重的地位。借助离子注入技术，能够实现对 n 型区域与 p 型区域导电性的精准把控。接下来，本文将对离子注入工艺及其注意要点展开简要阐述。SiC 材料的杂质原子扩散系数极小，这使得传统的热扩散工艺难以用于制造含有施主和受主等掺杂原子的器件结构（如形成 pn 结）。因此，基于离子注入工艺的掺杂技术成为了 SiC 器件制造的关键手段。在 SiC 中进行...

20世纪90年代初期，光刻对平坦度日益迫切的要求，催生了化学机械平坦化（CMP）工艺，它开始被用于后端（BEOL）金属连线层间介质的平整，当时还是一个不被看好的丑小鸭。然而随着时光的流逝，丑小鸭却越来越显现出她独特的魅力。20世纪90年代中期，浅槽隔离抛光（STI CMP）在0.35μm技术中被用于形成浅槽隔离，以取代原先的LOCOS。钨抛光（W CMP）也在0.35μm技术中以它高良率低缺...